特征●低偏移電壓:最大500μV●單電源操作:2.7 V至5.5 V●低電源電流:750μA/放大器●寬帶:8 MHz●轉(zhuǎn)換速率:5 V/μ...
日期:2025-2-21特征■帶直接ISA總線接口的單芯片IEEE 802.3以太網(wǎng)控制器■最大電流消耗=55mA(5V電源)■3 V操作■工業(yè)溫度范圍■提供全面的...
日期:2025-2-21A3933EQ是一款三相MOSFET控制器,適用于雙極無刷直流電機。它驅(qū)動所有n溝道外部功率場效應(yīng)晶體管,從而節(jié)省系統(tǒng)成本并最大限度地減少功...
日期:2025-2-21概述KEMET的Goldmax共形涂層徑向引線陶瓷電容器采用C0G電介質(zhì),最高工作溫度為125°C。電子工業(yè)聯(lián)盟(EIA)將C0G電介質(zhì)描述...
日期:2025-2-21CCM20N6-2A cloudchild 云潼MOS IGBT 功率半導(dǎo)體產(chǎn)品命名規(guī)則推測CCM:可能是云潼科技功率半導(dǎo)體產(chǎn)品系列的特定標(biāo)...
日期:2025-2-21CCM2E30D04T cloudchild 云潼MOS IGBT MOSFET 與 IGBT 的特點MOSFET 特點高輸入阻抗...
日期:2025-2-21CCMB17N80J cloudchild 云潼800V MOS管 功率晶體管技術(shù)特點高耐壓特性:耐壓值為 800V,能夠承受較...
日期:2025-2-21型號: AD5689RBRUZ-RL7品牌: ADI/亞德諾批次: 2251+數(shù)量: 886個全新原裝進口正品現(xiàn)貨,價格優(yōu)惠深圳市晶美隆科技...
日期:2025-2-21特征●快速吞吐率:1 MSPS●指定用于2.35 V至5.25 V的VDD低功率:●3.6 mW典型值,1 MSPS,3 V電源●12.5m...
日期:2025-2-21概述KEMET的C0G電介質(zhì)最高工作溫度為125°C,被認(rèn)為是“穩(wěn)定的”。電子元件、組件和材料協(xié)會(EIA)將C0G電介質(zhì)定性為I類材料。這...
日期:2025-2-21CBB電容,全稱金屬化聚丙烯薄膜電容(Metallized Polypropylene Film Capacitor),因其優(yōu)異的電氣性能和...
日期:2025-2-21在現(xiàn)代工業(yè)自動化領(lǐng)域,精準(zhǔn)控制是實現(xiàn)高效生產(chǎn)和高質(zhì)量產(chǎn)品的關(guān)鍵。磁致伸縮位移傳感器作為一種高精度、高可靠性的測量設(shè)備,廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)場景...
日期:2025-2-21專業(yè)IC領(lǐng)域供求交易平臺:提供全面的IC Datasheet資料和資訊,Datasheet 1000萬數(shù)據(jù),IC品牌1000多家。